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焦點!中國工程院院士:第三代半導(dǎo)體技術(shù)未來十年復(fù)合增速將超20%

2023-06-29 11:56:37 來源:可來股吧 分享到:


(資料圖片僅供參考)

2023國際新能源智能網(wǎng)聯(lián)汽車創(chuàng)新生態(tài)大會上,中國工程院院士丁榮軍表示,以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)(包括Si-IGBT與SiC二極管相結(jié)合的技術(shù))已經(jīng)開始獲得應(yīng)用,并具有很大的性能及市場潛力,將在未來十年獲得高達年復(fù)合20%以上的快速增長。丁榮軍指出,在電動汽車的應(yīng)用驅(qū)動、性價比權(quán)衡、消費慣性等因素影響下,未來十年Si-IGBT仍將是功率半導(dǎo)體器件的主流,并將與碳化硅功率器件長期并存。

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